Объем накопителя |
1024 ГБ
На 24 ГБ (2.4%) лучше
vs
1000 ГБ
|
Соотношение цена-качество |
16.4
На 1.5 (10.1%) лучше
vs
14.9
|
$ |
139
На -48 (-25.7%) лучше
vs
187
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (3.8%) лучше
vs
530 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 3000 IOPS (3.4%) лучше
vs
87000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 8000 IOPS (8.9%) лучше
vs
90000 IOPS
|
Ресурс работы |
600 TBW
На 200 TBW (50%) лучше
vs
400 TBW
|
Длина |
100 мм
На -0.45 мм (-0.40000000000001%) лучше
vs
100.45 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Crucial Micron 1300 [MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABYY] | Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
87000 IOPS | 90000 IOPS
На 3000 IOPS (3.4%) лучше
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | 98000 IOPS
На 8000 IOPS (8.9%) лучше
|
Максимальная скорость последовательного чтения | |
530 Мбайт/сек | 550 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (3.8%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек | 520 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
7 мм | 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
Длина | |
100.45 мм | 100 мм
На -0.45 мм (-0.40000000000001%) лучше
|
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
1.5 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
400 TBW | 600 TBW
На 200 TBW (50%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
187 | 139
На -48 (-25.7%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
14.9 | 16.4
На 1.5 (10.1%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Marvell 88SS1074-BSW2 | Samsung MJX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
1024 ГБ
На 24 ГБ (2.4%) лучше
|
1000 ГБ |