Соотношение цена-качество |
6.6
На 4.5 (214.3%) лучше
vs
2.1
|
Количество модулей в комплекте |
2
На 1 (100%) лучше
vs
1
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
|
Объем одного модуля памяти |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
|
Высота |
30 мм
На -0.75 мм (-2.4%) лучше
vs
30.75 мм
|
G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-16GIS] | TESLA [TSLD4-2666-CL19-16G] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
16 | 19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
38 | нет данных |
Row Precharge Delay (tRP) | |
18 | нет данных |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
18 | нет данных |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.35 В | 1.2 В |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
30.75 мм | 30 мм
На -0.75 мм (-2.4%) лучше
|
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
6.6
На 4.5 (214.3%) лучше
|
2.1 |
Быстродействие | |
Тактовая частота | |
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
|
2666 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
16 ГБ | 16 ГБ |
Количество модулей в комплекте | |
2
На 1 (100%) лучше
|
1 |
Объем одного модуля памяти | |
8 ГБ | 16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
|
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |