Главная / Оперативная память / GIGABYTE [GP-GR26C16S8K2HU416] vs Samsung [M393A1K43DB1-CVF]

GIGABYTE [GP-GR26C16S8K2HU416] vs Samsung [M393A1K43DB1-CVF]

GIGABYTE [GP-GR26C16S8K2HU416]
60%
Оценка DeviceList
vs
Samsung [M393A1K43DB1-CVF]
40%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики GIGABYTE [GP-GR26C16S8K2HU416] и Samsung [M393A1K43DB1-CVF] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества GIGABYTE [GP-GR26C16S8K2HU416]
Соотношение цена-качество
94.3
На 9.7 (11.5%) лучше
vs
84.6
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
vs
1
Наличие радиатора
vs
Преимущества Samsung [M393A1K43DB1-CVF]
Победитель в сравнении
Регистровая память
vs
ECC-память
vs
Тактовая частота
2933 МГц
На 267 МГц (10%) лучше
vs
2666 МГц

Сравнение всех характеристик

GIGABYTE [GP-GR26C16S8K2HU416] Samsung [M393A1K43DB1-CVF]
CAS Latency (CL)
16 21
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35 нет данных
Row Precharge Delay (tRP)
16 нет данных
RAS to CAS Delay (tRCD)
16 нет данных
Напряжение питания
1.2 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
32 мм нет данных
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
94.3
На 9.7 (11.5%) лучше
84.6
Пропускная способность
PC21300 PC23400
Тактовая частота
2666 МГц 2933 МГц
На 267 МГц (10%) лучше
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
1
Объем одного модуля памяти
8 ГБ 8 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM RDIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения