Соотношение цена-качество |
92.8
На 23.3 (33.5%) лучше
vs
69.5
|
Регистровая память |
vs
|
ECC-память |
vs
|
Объем одного модуля памяти |
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
vs
4 ГБ
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
|
Goodram [GR2666D464L19S4G] | Samsung [M393A4G43AB3-CWE] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
19 | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
нет данных | 22 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
нет данных | 22 |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 | 1.2 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
31.25 мм | 31.25 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
92.8
На 23.3 (33.5%) лучше
|
69.5 |
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
PC21300 | PC25600 |
Тактовая частота | |
2666 МГц | 3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
|
Объем и состав комплекта | |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
4 ГБ | 32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
|
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |