Главная / Оперативная память / Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S8GDC] vs SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]

Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S8GDC] vs SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]

Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S8GDC]
50%
Оценка DeviceList
vs
SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
28%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S8GDC] и SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S8GDC]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
84.5
На 38.3 (82.9%) лучше
vs
46.2
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
vs
1
Преимущества SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ

Сравнение всех характеристик

Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S8GDC] SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
CAS Latency (CL)
16 22
Row Precharge Delay (tRP)
18 22
RAS to CAS Delay (tRCD)
18 22
Двухсторонняя установка чипов
Количество чипов модуля
нет данных 8
Напряжение питания
1.35 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
34 мм нет данных
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
84.5
На 38.3 (82.9%) лучше
46.2
Частота
нет данных 3200 МГц
Пропускная способность
PC21300 PC25600
Тактовая частота
2666 МГц нет данных
Суммарный объем памяти всего комплекта
нет данных 8 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM нет данных
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения