Главная / Оперативная память / Goodram Iridium [IR-1600D364L11S4G] vs SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]

Goodram Iridium [IR-1600D364L11S4G] vs SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]

Goodram Iridium [IR-1600D364L11S4G]
16%
Оценка DeviceList
vs
SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
28%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Goodram Iridium [IR-1600D364L11S4G] и SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Goodram Iridium [IR-1600D364L11S4G]
Соотношение цена-качество
51
На 4.8 (10.4%) лучше
vs
46.2
Преимущества SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ

Сравнение всех характеристик

Goodram Iridium [IR-1600D364L11S4G] SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
CAS Latency (CL)
11 22
Row Precharge Delay (tRP)
11 22
RAS to CAS Delay (tRCD)
11 22
Двухсторонняя установка чипов
Количество чипов модуля
нет данных 8
Напряжение питания
1.5 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
51
На 4.8 (10.4%) лучше
46.2
Частота
нет данных 3200 МГц
Пропускная способность
PC12800 PC25600
Тактовая частота
1600 МГц нет данных
Суммарный объем памяти всего комплекта
нет данных 8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM нет данных
Тип памяти
DDR3 DDR4
Популярные сравнения