Объем одного модуля памяти |
32 ГБ
На 16 ГБ (100%) лучше
vs
16 ГБ
|
Соотношение цена-качество |
55.6
На 51.7 (1325.6%) лучше
vs
3.9
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 267 МГц (9.1%) лучше
vs
2933 МГц
|
Hynix [HMAA4GU6AJR8N-WM] | Samsung [M378A2G43AB3-CWE] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
21 | нет данных |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
32 | нет данных |
Row Precharge Delay (tRP) | |
21 | нет данных |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
21 | нет данных |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 В | 1.2 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
31.25 мм | 31.25 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
3.9 | 55.6
На 51.7 (1325.6%) лучше
|
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
нет данных | PC25600 |
Тактовая частота | |
2933 МГц | 3200 МГц
На 267 МГц (9.1%) лучше
|
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
32 ГБ | нет данных |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
32 ГБ
На 16 ГБ (100%) лучше
|
16 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |