Главная / Оперативная память / Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1] vs SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD]

Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1] vs SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD]

Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
54%
Оценка DeviceList
vs
SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD]
38%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1] и SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
77.8
На 3.2 (4.3%) лучше
vs
74.6
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Преимущества SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD]

Сравнение всех характеристик

Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1] SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD]
CAS Latency (CL)
21 19
Row Precharge Delay (tRP)
21 19
RAS to CAS Delay (tRCD)
21 19
Двухсторонняя установка чипов
Количество чипов модуля
нет данных 8
Напряжение питания
1.2 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм нет данных
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
77.8
На 3.2 (4.3%) лучше
74.6
Частота
нет данных 2666 МГц
Пропускная способность
PC23400 PC21300
Тактовая частота
2933 МГц нет данных
Суммарный объем памяти всего комплекта
нет данных 8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
8 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
RDIMM нет данных
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения