Соотношение цена-качество |
88.2
На 41.4 (88.5%) лучше
vs
46.8
|
Регистровая память |
vs
|
ECC-память |
vs
|
Тактовая частота |
2933 МГц
На 267 МГц (10%) лучше
vs
2666 МГц
|
Micron [MTA36ASF4G72PZ-2G9E2] | Samsung [M378A4G43MB1-CTD] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
21 | 19 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
21 | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
21 | 19 |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 | 1.2 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
31.25 мм | 31.25 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
88.2
На 41.4 (88.5%) лучше
|
46.8 |
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
PC23400 | PC21300 |
Тактовая частота | |
2933 МГц
На 267 МГц (10%) лучше
|
2666 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
32 ГБ | 32 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
RDIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |