Соотношение цена-качество |
81
На 64.6 (393.9%) лучше
vs
16.4
|
$ |
35
На -104 (-74.8%) лучше
vs
139
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Объем накопителя |
1000 ГБ
На 760 ГБ (316.7%) лучше
vs
240 ГБ
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
70 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Netac N535S [NT01N535S-240G-S3X] | Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 90000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 98000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек | 520 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
54 г | нет данных |
Толщина | |
7 мм | 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
70 мм | 69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Ресурс работы | |
нет данных | 600 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
35
На -104 (-74.8%) лучше
|
139 |
Соотношение цена-качество | |
81
На 64.6 (393.9%) лучше
|
16.4 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Silicon Motion SM2258XT | Samsung MJX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
240 ГБ | 1000 ГБ
На 760 ГБ (316.7%) лучше
|