Главная / Оперативная память / QUMO [QUM4U-4G2666C19] vs SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]

QUMO [QUM4U-4G2666C19] vs SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]

QUMO [QUM4U-4G2666C19]
36%
Оценка DeviceList
vs
SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
28%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики QUMO [QUM4U-4G2666C19] и SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества QUMO [QUM4U-4G2666C19]
Соотношение цена-качество
60.7
На 14.5 (31.4%) лучше
vs
46.2
Преимущества SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ

Сравнение всех характеристик

QUMO [QUM4U-4G2666C19] SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE]
CAS Latency (CL)
19 22
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 22
RAS to CAS Delay (tRCD)
19 22
Двухсторонняя установка чипов
Количество чипов модуля
нет данных 8
Напряжение питания
1.2 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм нет данных
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
60.7
На 14.5 (31.4%) лучше
46.2
Частота
нет данных 3200 МГц
Пропускная способность
PC21300 PC25600
Тактовая частота
2666 МГц нет данных
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM нет данных
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения