Объем накопителя |
1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
vs
120 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 160 Мбайт/сек (44.4%) лучше
vs
360 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Шифрование данных |
vs
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
76.9
На 60.5 (368.9%) лучше
vs
16.4
|
$ |
24
На -115 (-82.7%) лучше
vs
139
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] | Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 160 Мбайт/сек (44.4%) лучше
|
360 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Ресурс работы | |
600 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
139 | 24
На -115 (-82.7%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
16.4 | 76.9
На 60.5 (368.9%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Marvell 88NV1120 |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
|
120 ГБ |