Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 15000 IOPS (20%) лучше
vs
75000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 33000 IOPS (50.8%) лучше
vs
65000 IOPS
|
Шифрование данных |
vs
|
Длина |
100 мм
На -0.45 мм (-0.40000000000001%) лучше
vs
100.45 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
79
На 28.2 (55.5%) лучше
vs
50.8
|
$ |
45
На -12 (-21.1%) лучше
vs
57
|
Объем накопителя |
256 ГБ
На 6 ГБ (2.4%) лучше
vs
250 ГБ
|
Ресурс работы |
200 TBW
На 50 TBW (33.3%) лучше
vs
150 TBW
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | A-Data SU750 [ASU750SS-256GT-C] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 15000 IOPS (20%) лучше
|
75000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 33000 IOPS (50.8%) лучше
|
65000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек | 520 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
нет данных | 47.5 г |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм
На -0.45 мм (-0.40000000000001%) лучше
|
100.45 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
нет данных | 1500 G |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 2 млн часов |
Ресурс работы | |
150 TBW | 200 TBW
На 50 TBW (33.3%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57 | 45
На -12 (-21.1%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 79
На 28.2 (55.5%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Realtek RTS5733DMQ |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 256 ГБ
На 6 ГБ (2.4%) лучше
|