$ |
57
На -10 (-14.9%) лучше
vs
67
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (2%) лучше
vs
510 Мбайт/сек
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 3000 IOPS (3.2%) лучше
vs
95000 IOPS
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
70 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
70.3
На 19.5 (38.4%) лучше
vs
50.8
|
Объем накопителя |
500 ГБ
На 250 ГБ (100%) лучше
vs
250 ГБ
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Ресурс работы |
180 TBW
На 30 TBW (20%) лучше
vs
150 TBW
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | Crucial MX500 [CT500MX500SSD1] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | 90000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 3000 IOPS (3.2%) лучше
|
95000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (2%) лучше
|
510 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
70 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1.8 млн часов |
Ресурс работы | |
150 TBW | 180 TBW
На 30 TBW (20%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57
На -10 (-14.9%) лучше
|
67 |
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 70.3
На 19.5 (38.4%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Silicon Motion SM2258 |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 500 ГБ
На 250 ГБ (100%) лучше
|