Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
|
Шифрование данных |
vs
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
52.8
На 2 (3.9%) лучше
vs
50.8
|
$ |
49
На -8 (-14%) лучше
vs
57
|
Объем накопителя |
480 ГБ
На 230 ГБ (92%) лучше
vs
250 ГБ
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
|
540 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
|
460 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Ресурс работы | |
150 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57 | 49
На -8 (-14%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 52.8
На 2 (3.9%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Marvell 88NV1120 |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 480 ГБ
На 230 ГБ (92%) лучше
|