Главная / SSD / Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] vs Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]

Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] vs Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]

Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW]
72%
Оценка DeviceList
vs
Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]
40%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] и Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW]
Победитель в сравнении
Максимальная скорость последовательной записи
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
Шифрование данных
vs
Толщина
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
Преимущества Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]
Соотношение цена-качество
52.8
На 2 (3.9%) лучше
vs
50.8
$
49
На -8 (-14%) лучше
vs
57
Объем накопителя
480 ГБ
На 230 ГБ (92%) лучше
vs
250 ГБ

Сравнение всех характеристик

Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
90000 IOPS нет данных
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32)
98000 IOPS нет данных
Максимальная скорость последовательного чтения
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
540 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
460 Мбайт/сек
Толщина
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
7 мм
Длина
100 мм 100 мм
Ширина
69.85 мм 69.85 мм
Шифрование данных
Поддержка команды TRIM
Ресурс работы
150 TBW нет данных
Серверный
$
57 49
На -8 (-14%) лучше
Соотношение цена-качество
50.8 52.8
На 2 (3.9%) лучше
Контроллер
Samsung MJX Marvell 88NV1120
Структура памяти
3D NAND 3D NAND
Тип чипов памяти
NAND NAND
NVMe
Физический интерфейс
SATA III SATA III
Объем накопителя
250 ГБ 480 ГБ
На 230 ГБ (92%) лучше
Популярные сравнения