Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 2000 IOPS (2.3%) лучше
vs
88000 IOPS
|
Соотношение цена-качество |
72.3
На 21.5 (42.3%) лучше
vs
50.8
|
$ |
56
На -1 (-1.8%) лучше
vs
57
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
520 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | Samsung 870 EVO [MZ-77E250BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 2000 IOPS (2.3%) лучше
|
88000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | 98000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек | 530 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
|
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм | 6.8 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Ресурс работы | |
150 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57 | 56
На -1 (-1.8%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 72.3
На 21.5 (42.3%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Samsung MGX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 250 ГБ |