Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (4%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 13200 IOPS (17.2%) лучше
vs
76800 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 22500 IOPS (29.8%) лучше
vs
75500 IOPS
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
62.6
На 18 (40.4%) лучше
vs
44.6
|
$ |
68
На -5 (-6.8%) лучше
vs
73
|
Объем накопителя |
512 ГБ
На 12 ГБ (2.4%) лучше
vs
500 ГБ
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] | Goodram CX400 gen.2 [SSDPR-CX400-512-G2] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 13200 IOPS (17.2%) лучше
|
76800 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 22500 IOPS (29.8%) лучше
|
75500 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (4%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 2 млн часов |
Ресурс работы | |
300 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
73 | 68
На -5 (-6.8%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
44.6 | 62.6
На 18 (40.4%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | нет данных |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
500 ГБ | 512 ГБ
На 12 ГБ (2.4%) лучше
|