Объем накопителя |
500 ГБ
На 244 ГБ (95.3%) лучше
vs
256 ГБ
|
Ресурс работы |
300 TBW
На 80 TBW (36.4%) лучше
vs
220 TBW
|
Шифрование данных |
vs
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
66.2
На 21.6 (48.4%) лучше
vs
44.6
|
$ |
55
На -18 (-24.7%) лучше
vs
73
|
Максимальная скорость последовательной записи |
535 Мбайт/сек
На 15 Мбайт/сек (2.9%) лучше
vs
520 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
555 Мбайт/сек
На 5 Мбайт/сек (0.90000000000001%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] | Goodram Irdm Pro gen.2 [IRP-SSDPR-S25C-256] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 555 Мбайт/сек
На 5 Мбайт/сек (0.90000000000001%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек | 535 Мбайт/сек
На 15 Мбайт/сек (2.9%) лучше
|
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1.5 млн часов |
Ресурс работы | |
300 TBW
На 80 TBW (36.4%) лучше
|
220 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
73 | 55
На -18 (-24.7%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
44.6 | 66.2
На 21.6 (48.4%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Phison PS3112-S12 |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
500 ГБ
На 244 ГБ (95.3%) лучше
|
256 ГБ |