$ |
73
На -5 (-6.4%) лучше
vs
78
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 1000 IOPS (1.1%) лучше
vs
89000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 8000 IOPS (8.9%) лучше
vs
90000 IOPS
|
Длина |
100 мм
На -0.2 мм (-0.2%) лучше
vs
100.2 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
68.7
На 24.1 (54%) лучше
vs
44.6
|
Объем накопителя |
512 ГБ
На 12 ГБ (2.4%) лучше
vs
500 ГБ
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Ресурс работы |
320 TBW
На 20 TBW (6.7%) лучше
vs
300 TBW
|
Ширина |
69.8 мм
На -0.049999999999997 мм (-0.099999999999994%) лучше
vs
69.85 мм
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] | HP S750 [16L53AA#ABB] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 1000 IOPS (1.1%) лучше
|
89000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 8000 IOPS (8.9%) лучше
|
90000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек | 520 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
нет данных | 50 г |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм
На -0.2 мм (-0.2%) лучше
|
100.2 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.8 мм
На -0.049999999999997 мм (-0.099999999999994%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Энергопотребление | |
нет данных | 2.17 Вт |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
нет данных | 100 G |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 2 млн часов |
Ресурс работы | |
300 TBW | 320 TBW
На 20 TBW (6.7%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
73
На -5 (-6.4%) лучше
|
78 |
Соотношение цена-качество | |
44.6 | 68.7
На 24.1 (54%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | нет данных |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
500 ГБ | 512 ГБ
На 12 ГБ (2.4%) лучше
|