Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (6%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
30.3
На 19.5 (180.6%) лучше
vs
10.8
|
$ |
120
На -160 (-57.1%) лучше
vs
280
|
Samsung 860 Pro [MZ-76P1T0BW] | Goodram CX400 gen.2 [SSDPR-CX400-01T-G2] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
100000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (6%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 2 млн часов |
Ресурс работы | |
1200 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
280 | 120
На -160 (-57.1%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
10.8 | 30.3
На 19.5 (180.6%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | нет данных |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
1024 ГБ | 1024 ГБ |