Ширина |
69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
vs
129.9 мм
|
Длина |
100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
vs
278.6 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
vs
21.6 мм
|
Соотношение цена-качество |
98.5
На 68.8 (231.6%) лучше
vs
29.7
|
Объем накопителя |
8000 ГБ
На 7000 ГБ (700%) лучше
vs
1000 ГБ
|
NVMe |
vs
|
Максимальная скорость последовательной записи |
15000 Мбайт/сек
На 14470 Мбайт/сек (2730.2%) лучше
vs
530 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
15000 Мбайт/сек
На 14440 Мбайт/сек (2578.6%) лучше
vs
560 Мбайт/сек
|
Samsung 870 EVO [MZ-77E1T0BW] | Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
88000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек | 15000 Мбайт/сек
На 14440 Мбайт/сек (2578.6%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек | 15000 Мбайт/сек
На 14470 Мбайт/сек (2730.2%) лучше
|
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
|
21.6 мм |
Длина | |
100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
|
278.6 мм |
Ширина | |
69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
|
129.9 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Энергопотребление | |
нет данных | 35.3 Вт |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1.77 млн часов |
Ресурс работы | |
нет данных | 3600 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
139 | нет данных |
Соотношение цена-качество | |
29.7 | 98.5
На 68.8 (231.6%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MKX | Phison PS5016-E16 |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | PCI-E |
Объем накопителя | |
1000 ГБ | 8000 ГБ
На 7000 ГБ (700%) лучше
|