Соотношение цена-качество |
91.3
На 38.5 (72.9%) лучше
vs
52.8
|
Объем накопителя |
4000 ГБ
На 3520 ГБ (733.3%) лучше
vs
480 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 70 Мбайт/сек (15.2%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (3.7%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
|
Шифрование данных |
vs
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Samsung 870 EVO [MZ-77E4T0BW] | Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
88000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (3.7%) лучше
|
540 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 70 Мбайт/сек (15.2%) лучше
|
460 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
нет данных | 49 |
Соотношение цена-качество | |
91.3
На 38.5 (72.9%) лучше
|
52.8 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MGX | Marvell 88NV1120 |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
4000 ГБ
На 3520 ГБ (733.3%) лучше
|
480 ГБ |