Главная / Оперативная память / Samsung [M323R2GA3BB0-CQK] vs G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS]

Samsung [M323R2GA3BB0-CQK] vs G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS]

Samsung [M323R2GA3BB0-CQK]
61%
Оценка DeviceList
vs
G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS]
43%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M323R2GA3BB0-CQK] и G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M323R2GA3BB0-CQK]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
15.2
На 14.3 (1588.9%) лучше
vs
0.9
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Тактовая частота
4800 МГц
На 1600 МГц (50%) лучше
vs
3200 МГц
Преимущества G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS]

Сравнение всех характеристик

Samsung [M323R2GA3BB0-CQK] G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS]
CAS Latency (CL)
40 16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
нет данных 38
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.1 В 1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
нет данных 30.75 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
15.2
На 14.3 (1588.9%) лучше
0.9
Тактовая частота
4800 МГц
На 1600 МГц (50%) лучше
3200 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
8 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR5 DDR4
Популярные сравнения