Главная / Оперативная память / Samsung [M378A1G44AB0-CWE] vs G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16S-16GVK]

Samsung [M378A1G44AB0-CWE] vs G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16S-16GVK]

Samsung [M378A1G44AB0-CWE]
50%
Оценка DeviceList
vs
G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16S-16GVK]
57%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A1G44AB0-CWE] и G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16S-16GVK] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A1G44AB0-CWE]
Соотношение цена-качество
70.6
На 11.3 (19.1%) лучше
vs
59.3
Высота
31.25 мм
На -9.75 мм (-23.8%) лучше
vs
41 мм
Преимущества G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16S-16GVK]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Наличие радиатора
vs

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A1G44AB0-CWE] G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16S-16GVK]
CAS Latency (CL)
нет данных 16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
нет данных 38
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.2 1.2-1.35
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм
На -9.75 мм (-23.8%) лучше
41 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
70.6
На 11.3 (19.1%) лучше
59.3
Пропускная способность
PC25600 PC25600
Тактовая частота
3200 МГц 3200 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
нет данных 16 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
8 ГБ 16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения