Главная / Оперативная память / Samsung [M378A1G44AB0-CWE] vs Goodram Iridium [IR-2400D464L1732GDC]

Samsung [M378A1G44AB0-CWE] vs Goodram Iridium [IR-2400D464L1732GDC]

Samsung [M378A1G44AB0-CWE]
50%
Оценка DeviceList
vs
Goodram Iridium [IR-2400D464L1732GDC]
43%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A1G44AB0-CWE] и Goodram Iridium [IR-2400D464L1732GDC] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A1G44AB0-CWE]
Соотношение цена-качество
70.6
На 22.7 (47.4%) лучше
vs
47.9
Тактовая частота
3200 МГц
На 800 МГц (33.3%) лучше
vs
2400 МГц
Преимущества Goodram Iridium [IR-2400D464L1732GDC]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
vs
1
Наличие радиатора
vs

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A1G44AB0-CWE] Goodram Iridium [IR-2400D464L1732GDC]
CAS Latency (CL)
нет данных 17
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 17
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 17
Напряжение питания
1.2 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
70.6
На 22.7 (47.4%) лучше
47.9
Пропускная способность
PC25600 PC19200
Тактовая частота
3200 МГц
На 800 МГц (33.3%) лучше
2400 МГц
Количество модулей в комплекте
1 2
На 1 (100%) лучше
Объем одного модуля памяти
8 ГБ 16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения