Главная / Оперативная память / Samsung [M378A1K43EB2-CVF] vs Goodram IRDM X [IR-X3000D464L1616G]

Samsung [M378A1K43EB2-CVF] vs Goodram IRDM X [IR-X3000D464L1616G]

Samsung [M378A1K43EB2-CVF]
46%
Оценка DeviceList
vs
Goodram IRDM X [IR-X3000D464L1616G]
45%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A1K43EB2-CVF] и Goodram IRDM X [IR-X3000D464L1616G] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A1K43EB2-CVF]
Соотношение цена-качество
71.3
На 11.7 (19.6%) лучше
vs
59.6
Высота
31.25 мм
На -2.75 мм (-8.1%) лучше
vs
34 мм
Преимущества Goodram IRDM X [IR-X3000D464L1616G]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Тактовая частота
3000 МГц
На 67 МГц (2.3%) лучше
vs
2933 МГц
Наличие радиатора
vs

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A1K43EB2-CVF] Goodram IRDM X [IR-X3000D464L1616G]
CAS Latency (CL)
21 16
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.2 1.35
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм
На -2.75 мм (-8.1%) лучше
34 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
71.3
На 11.7 (19.6%) лучше
59.6
Пропускная способность
PC23466 PC24000
Тактовая частота
2933 МГц 3000 МГц
На 67 МГц (2.3%) лучше
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
8 ГБ 16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения