Главная / Оперативная память / Samsung [M378A1K43EB2-CVF] vs Goodram Iridium [IR-XB2666D464L16S16GDC]

Samsung [M378A1K43EB2-CVF] vs Goodram Iridium [IR-XB2666D464L16S16GDC]

Samsung [M378A1K43EB2-CVF]
46%
Оценка DeviceList
vs
Goodram Iridium [IR-XB2666D464L16S16GDC]
27%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A1K43EB2-CVF] и Goodram Iridium [IR-XB2666D464L16S16GDC] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A1K43EB2-CVF]
Соотношение цена-качество
71.3
На 25.1 (54.3%) лучше
vs
46.2
Тактовая частота
2933 МГц
На 267 МГц (10%) лучше
vs
2666 МГц
Преимущества Goodram Iridium [IR-XB2666D464L16S16GDC]
Победитель в сравнении
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
vs
1
Наличие радиатора
vs

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A1K43EB2-CVF] Goodram Iridium [IR-XB2666D464L16S16GDC]
CAS Latency (CL)
21 16
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.2 1.35
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм нет данных
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
71.3
На 25.1 (54.3%) лучше
46.2
Пропускная способность
PC23466 PC21300
Тактовая частота
2933 МГц
На 267 МГц (10%) лучше
2666 МГц
Количество модулей в комплекте
1 2
На 1 (100%) лучше
Объем одного модуля памяти
8 ГБ 8 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения