Главная / Оперативная память / Samsung [M378A1K43EB2-CWE] vs G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-32GIS]

Samsung [M378A1K43EB2-CWE] vs G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-32GIS]

Samsung [M378A1K43EB2-CWE]
62%
Оценка DeviceList
vs
G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-32GIS]
85%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A1K43EB2-CWE] и G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-32GIS] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A1K43EB2-CWE]
Соотношение цена-качество
31.5
На 6.5 (26%) лучше
vs
25
Преимущества G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-32GIS]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
vs
1
Суммарный объем памяти всего комплекта
32 ГБ
На 24 ГБ (300%) лучше
vs
8 ГБ
Высота
30.75 мм
На -0.5 мм (-1.6%) лучше
vs
31.25 мм

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A1K43EB2-CWE] G.Skill AEGIS [F4-3200C16D-32GIS]
CAS Latency (CL)
22 16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
нет данных 38
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.2 В 1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 30.75 мм
На -0.5 мм (-1.6%) лучше
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
31.5
На 6.5 (26%) лучше
25
Тактовая частота
3200 МГц 3200 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ 32 ГБ
На 24 ГБ (300%) лучше
Количество модулей в комплекте
1 2
На 1 (100%) лучше
Объем одного модуля памяти
8 ГБ 16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения