Главная / Оперативная память / Samsung [M378A1K43EB2-CWE] vs Hynix [HMA851U6JJR6N-VK]

Samsung [M378A1K43EB2-CWE] vs Hynix [HMA851U6JJR6N-VK]

Samsung [M378A1K43EB2-CWE]
62%
Оценка DeviceList
vs
Hynix [HMA851U6JJR6N-VK]
36%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A1K43EB2-CWE] и Hynix [HMA851U6JJR6N-VK] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A1K43EB2-CWE]
Победитель в сравнении
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
Преимущества Hynix [HMA851U6JJR6N-VK]
Соотношение цена-качество
64.2
На 32.7 (103.8%) лучше
vs
31.5

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A1K43EB2-CWE] Hynix [HMA851U6JJR6N-VK]
CAS Latency (CL)
22 19
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 19
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 19
Напряжение питания
1.2 В 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
31.5 64.2
На 32.7 (103.8%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC21300
Тактовая частота
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
2666 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ нет данных
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
4 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения