Соотношение цена-качество |
35.8
На 31.2 (678.3%) лучше
vs
4.6
|
Объем одного модуля памяти |
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
|
Samsung [M378A2G43MX3-CWE] | Silicon Power [SP004GBLFU266X02] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
22 | 19 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
22 | нет данных |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
22 | нет данных |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 В | 1.2 В |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
нет данных | 31.25 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
35.8
На 31.2 (678.3%) лучше
|
4.6 |
Быстродействие | |
Тактовая частота | |
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
|
2666 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
|
4 ГБ |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
|
4 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |