Главная / Оперативная память / Samsung [M378A2K43EB1-CWE] vs Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]

Samsung [M378A2K43EB1-CWE] vs Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]

Samsung [M378A2K43EB1-CWE]
53%
Оценка DeviceList
vs
Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
54%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A2K43EB1-CWE] и Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A2K43EB1-CWE]
Тактовая частота
3200 МГц
На 267 МГц (9.1%) лучше
vs
2933 МГц
Преимущества Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
77.8
На 60.7 (355%) лучше
vs
17.1
Регистровая память
vs
ECC-память
vs

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A2K43EB1-CWE] Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
CAS Latency (CL)
22 21
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 21
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 21
Напряжение питания
1.2 В 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
нет данных 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
17.1 77.8
На 60.7 (355%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC23400
Тактовая частота
3200 МГц
На 267 МГц (9.1%) лучше
2933 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
16 ГБ нет данных
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
16 ГБ 16 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM RDIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения