Главная / Оперативная память / Samsung [M378A4G43AB2-CWE] vs Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]

Samsung [M378A4G43AB2-CWE] vs Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]

Samsung [M378A4G43AB2-CWE]
73%
Оценка DeviceList
vs
Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]
40%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A4G43AB2-CWE] и Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A4G43AB2-CWE]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
99.7
На 20.6 (26%) лучше
vs
79.1
Объем одного модуля памяти
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
vs
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
vs
1333 МГц
Преимущества Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A4G43AB2-CWE] Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]
CAS Latency (CL)
22 9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
45 нет данных
Row Precharge Delay (tRP)
22 9
RAS to CAS Delay (tRCD)
22 9
Напряжение питания
1.2 1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
99.7
На 20.6 (26%) лучше
79.1
Пропускная способность
PC25600 PC10600
Тактовая частота
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
1333 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
нет данных 4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
4 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR3
Популярные сравнения