Главная / Оперативная память / Samsung [M378A5244CB0-CTD] vs Hynix [H5AN4G8NAFR - VKC]

Samsung [M378A5244CB0-CTD] vs Hynix [H5AN4G8NAFR - VKC]

Samsung [M378A5244CB0-CTD]
49%
Оценка DeviceList
vs
Hynix [H5AN4G8NAFR - VKC]
44%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A5244CB0-CTD] и Hynix [H5AN4G8NAFR - VKC] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A5244CB0-CTD]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
91.4
На 10.7 (13.3%) лучше
vs
80.7
Преимущества Hynix [H5AN4G8NAFR - VKC]

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A5244CB0-CTD] Hynix [H5AN4G8NAFR - VKC]
CAS Latency (CL)
19 19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32 32
Row Precharge Delay (tRP)
19 19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19 19
Напряжение питания
1.2 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
91.4
На 10.7 (13.3%) лучше
80.7
Пропускная способность
PC21300 PC21300
Тактовая частота
2666 МГц 2666 МГц
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 4 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения