Главная / Оперативная память / Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB]

Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB]

Samsung [M378A5244CB0-CWE]
47%
Оценка DeviceList
vs
G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB]
47%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A5244CB0-CWE] и G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A5244CB0-CWE]
Тактовая частота
3200 МГц
На 200 МГц (6.7%) лучше
vs
3000 МГц
Преимущества G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
54.1
На 10.4 (23.8%) лучше
vs
43.7
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ
Наличие радиатора
vs
Высота
31.2 мм
На -0.050000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
31.25 мм

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A5244CB0-CWE] G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB]
CAS Latency (CL)
22 16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
нет данных 38
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.2 В 1.35
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.2 мм
На -0.050000000000001 мм (-0.2%) лучше
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
43.7 54.1
На 10.4 (23.8%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC24000
Тактовая частота
3200 МГц
На 200 МГц (6.7%) лучше
3000 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ нет данных
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения