Тактовая частота |
3200 МГц
На 200 МГц (6.7%) лучше
vs
3000 МГц
|
Соотношение цена-качество |
54.1
На 10.4 (23.8%) лучше
vs
43.7
|
Объем одного модуля памяти |
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ
|
Наличие радиатора |
vs
|
Высота |
31.2 мм
На -0.050000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
31.25 мм
|
Samsung [M378A5244CB0-CWE] | G.Skill AEGIS [F4-3000C16S-16GISB] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
22 | 16 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
нет данных | 38 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
нет данных | 18 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
нет данных | 18 |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 В | 1.35 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
31.25 мм | 31.2 мм
На -0.050000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
43.7 | 54.1
На 10.4 (23.8%) лучше
|
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
нет данных | PC24000 |
Тактовая частота | |
3200 МГц
На 200 МГц (6.7%) лучше
|
3000 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
4 ГБ | нет данных |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
4 ГБ | 16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
|
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |