Главная / Оперативная память / Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs Goodram [GR2666D464L1932GDC]

Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs Goodram [GR2666D464L1932GDC]

Samsung [M378A5244CB0-CWE]
47%
Оценка DeviceList
vs
Goodram [GR2666D464L1932GDC]
61%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A5244CB0-CWE] и Goodram [GR2666D464L1932GDC] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A5244CB0-CWE]
Тактовая частота
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
Преимущества Goodram [GR2666D464L1932GDC]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
84.8
На 41.1 (94.1%) лучше
vs
43.7
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
На 1 (100%) лучше
vs
1

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A5244CB0-CWE] Goodram [GR2666D464L1932GDC]
CAS Latency (CL)
22 19
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 19
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 19
Напряжение питания
1.2 В 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
43.7 84.8
На 41.1 (94.1%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC21300
Тактовая частота
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
2666 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ нет данных
Количество модулей в комплекте
1 2
На 1 (100%) лучше
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения