Главная / Оперативная память / Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs Goodram IRDM X [IR-XR2666D464L1616G]

Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs Goodram IRDM X [IR-XR2666D464L1616G]

Samsung [M378A5244CB0-CWE]
47%
Оценка DeviceList
vs
Goodram IRDM X [IR-XR2666D464L1616G]
47%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A5244CB0-CWE] и Goodram IRDM X [IR-XR2666D464L1616G] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A5244CB0-CWE]
Тактовая частота
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
Преимущества Goodram IRDM X [IR-XR2666D464L1616G]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
70.2
На 26.5 (60.6%) лучше
vs
43.7
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ
Наличие радиатора
vs

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A5244CB0-CWE] Goodram IRDM X [IR-XR2666D464L1616G]
CAS Latency (CL)
22 16
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 18
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 18
Напряжение питания
1.2 В 1.35
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
43.7 70.2
На 26.5 (60.6%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC21300
Тактовая частота
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
2666 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ нет данных
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения