Главная / Оперативная память / Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]

Samsung [M378A5244CB0-CWE] vs Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]

Samsung [M378A5244CB0-CWE]
47%
Оценка DeviceList
vs
Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
54%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M378A5244CB0-CWE] и Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M378A5244CB0-CWE]
Тактовая частота
3200 МГц
На 267 МГц (9.1%) лучше
vs
2933 МГц
Преимущества Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
77.8
На 34.1 (78%) лучше
vs
43.7
Регистровая память
vs
ECC-память
vs
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
vs
4 ГБ

Сравнение всех характеристик

Samsung [M378A5244CB0-CWE] Micron [MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1]
CAS Latency (CL)
22 21
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 21
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 21
Напряжение питания
1.2 В 1.2
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
43.7 77.8
На 34.1 (78%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC23400
Тактовая частота
3200 МГц
На 267 МГц (9.1%) лучше
2933 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ нет данных
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
4 ГБ 16 ГБ
На 12 ГБ (300%) лучше
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM RDIMM
Тип памяти
DDR4 DDR4
Популярные сравнения