Регистровая память |
vs
|
ECC-память |
vs
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 800 МГц (33.3%) лучше
vs
2400 МГц
|
Соотношение цена-качество |
55.7
На 12.3 (28.3%) лучше
vs
43.4
|
Samsung [M393A1K43DB2-CWE] | Hynix [H5AN8G8NAFR-UHC] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
22 | 17 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
нет данных | 17 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
нет данных | 17 |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 В | 1.2 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
нет данных | 31.25 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
43.4 | 55.7
На 12.3 (28.3%) лучше
|
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
нет данных | PC19200 |
Тактовая частота | |
3200 МГц
На 800 МГц (33.3%) лучше
|
2400 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
8 ГБ | 8 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
RDIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |