Главная / Оперативная память / Samsung [M393A1K43DB2-CWE] vs Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]

Samsung [M393A1K43DB2-CWE] vs Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]

Samsung [M393A1K43DB2-CWE]
37%
Оценка DeviceList
vs
Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]
40%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M393A1K43DB2-CWE] и Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M393A1K43DB2-CWE]
Победитель в сравнении
Регистровая память
vs
ECC-память
vs
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
vs
1333 МГц
Преимущества Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]
Соотношение цена-качество
79.1
На 35.7 (82.3%) лучше
vs
43.4

Сравнение всех характеристик

Samsung [M393A1K43DB2-CWE] Hynix [H5TQ2G83CFR-H9C]
CAS Latency (CL)
22 9
Row Precharge Delay (tRP)
нет данных 9
RAS to CAS Delay (tRCD)
нет данных 9
Напряжение питания
1.2 В 1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
нет данных 31.25 мм
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
43.4 79.1
На 35.7 (82.3%) лучше
Пропускная способность
нет данных PC10600
Тактовая частота
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
1333 МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта
нет данных 4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
4 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
RDIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR3
Популярные сравнения