Главная / Оперативная память / Samsung [M393A4G43AB3-CWE] vs Goodram [GR1333D364L9S4G]

Samsung [M393A4G43AB3-CWE] vs Goodram [GR1333D364L9S4G]

Samsung [M393A4G43AB3-CWE]
58%
Оценка DeviceList
vs
Goodram [GR1333D364L9S4G]
29%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung [M393A4G43AB3-CWE] и Goodram [GR1333D364L9S4G] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung [M393A4G43AB3-CWE]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
69.5
На 19.3 (38.4%) лучше
vs
50.2
Регистровая память
vs
ECC-память
vs
Объем одного модуля памяти
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
vs
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
vs
1333 МГц
Преимущества Goodram [GR1333D364L9S4G]
Высота
30 мм
На -1.25 мм (-4%) лучше
vs
31.25 мм

Сравнение всех характеристик

Samsung [M393A4G43AB3-CWE] Goodram [GR1333D364L9S4G]
CAS Latency (CL)
22 9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
нет данных 24
Row Precharge Delay (tRP)
22 9
RAS to CAS Delay (tRCD)
22 9
Напряжение питания
1.2 1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
Высота
31.25 мм 30 мм
На -1.25 мм (-4%) лучше
Подсветка элементов платы
Наличие радиатора
Соотношение цена-качество
69.5
На 19.3 (38.4%) лучше
50.2
Пропускная способность
PC25600 PC10600
Тактовая частота
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
1333 МГц
Количество модулей в комплекте
1 1
Объем одного модуля памяти
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
4 ГБ
ECC-память
Регистровая память
Форм-фактор памяти
DIMM DIMM
Тип памяти
DDR4 DDR3
Популярные сравнения