Соотношение цена-качество |
69.5
На 19.2 (38.2%) лучше
vs
50.3
|
Регистровая память |
vs
|
ECC-память |
vs
|
Объем одного модуля памяти |
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
vs
4 ГБ
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 1600 МГц (100%) лучше
vs
1600 МГц
|
Высота |
30 мм
На -1.25 мм (-4%) лучше
vs
31.25 мм
|
Samsung [M393A4G43AB3-CWE] | Goodram [GR1600D364L11S4G] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
22 | 11 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
нет данных | 28 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
22 | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
22 | 11 |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 | 1.5 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
31.25 мм | 30 мм
На -1.25 мм (-4%) лучше
|
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
69.5
На 19.2 (38.2%) лучше
|
50.3 |
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
PC25600 | PC12800 |
Тактовая частота | |
3200 МГц
На 1600 МГц (100%) лучше
|
1600 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
32 ГБ
На 28 ГБ (700%) лучше
|
4 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR3 |