Соотношение цена-качество |
69.5
На 18.8 (37.1%) лучше
vs
50.7
|
Регистровая память |
vs
|
ECC-память |
vs
|
Объем одного модуля памяти |
32 ГБ
На 24 ГБ (300%) лучше
vs
8 ГБ
|
Тактовая частота |
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
vs
1333 МГц
|
Samsung [M393A4G43AB3-CWE] | Hynix [H5TQ4G83CFR-H9C] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
22 | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
22 | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
22 | 9 |
Конструктивные особенности |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 | 1.5 |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
31.25 мм | 31.25 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
69.5
На 18.8 (37.1%) лучше
|
50.7 |
Быстродействие | |
Пропускная способность | |
PC25600 | PC10600 |
Тактовая частота | |
3200 МГц
На 1867 МГц (140.1%) лучше
|
1333 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
32 ГБ
На 24 ГБ (300%) лучше
|
8 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
DIMM | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR3 |