Соотношение цена-качество |
46.2
На 29.8 (181.7%) лучше
vs
16.4
|
$ |
24
На -115 (-82.7%) лучше
vs
139
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
520 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Объем накопителя |
1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
vs
120 ГБ
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 12000 IOPS (15.4%) лучше
vs
78000 IOPS
|
Ресурс работы |
600 TBW
На 535 TBW (823.1%) лучше
vs
65 TBW
|
Шифрование данных |
vs
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
SiliconPower Slim S55 [SP120GBSS3S55S25] | Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
78000 IOPS | 90000 IOPS
На 12000 IOPS (15.4%) лучше
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 98000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
|
520 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
63 г | нет данных |
Толщина | |
7 мм | 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
1500 G | нет данных |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
1.5 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
65 TBW | 600 TBW
На 535 TBW (823.1%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
24
На -115 (-82.7%) лучше
|
139 |
Соотношение цена-качество | |
46.2
На 29.8 (181.7%) лучше
|
16.4 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Phison PS3108-S8 | Samsung MJX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
120 ГБ | 1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
|