Соотношение цена-качество |
12.6
На 11.7 (1300%) лучше
vs
0.9
|
Объем одного модуля памяти |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
|
SODIMM Crucial Basics [CB16GS2666] | G.Skill AEGIS [F4-3200C16S-8GIS] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
19 | 16 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
19 | 38 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
19 | 18 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
19 | 18 |
Конструктивные особенности | |
Двухсторонняя установка чипов | |
Количество чипов модуля | |
4 | нет данных |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 В | 1.35 В |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
нет данных | 30.75 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
12.6
На 11.7 (1300%) лучше
|
0.9 |
Быстродействие | |
Частота | |
2666 МГц | нет данных |
Тактовая частота | |
нет данных | 3200 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
|
8 ГБ |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
|
8 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
нет данных | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |