Соотношение цена-качество |
12.6
На 0.3 (2.4%) лучше
vs
12.3
|
Объем одного модуля памяти |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
vs
8 ГБ
|
SODIMM Crucial Basics [CB16GS2666] | Silicon Power [SP008GBLTU160N02] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
19 | 11 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
19 | нет данных |
Row Precharge Delay (tRP) | |
19 | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
19 | 11 |
Конструктивные особенности | |
Двухсторонняя установка чипов | |
Количество чипов модуля | |
4 | нет данных |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 В | 1.5 В |
Конструкция | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Высота | |
нет данных | 30 мм |
Подсветка элементов платы | |
Наличие радиатора | |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
12.6
На 0.3 (2.4%) лучше
|
12.3 |
Быстродействие | |
Частота | |
2666 МГц | нет данных |
Тактовая частота | |
нет данных | 1600 МГц |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
|
8 ГБ |
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
16 ГБ
На 8 ГБ (100%) лучше
|
8 ГБ |
ECC-память | |
Регистровая память | |
Форм-фактор памяти | |
нет данных | DIMM |
Тип памяти | |
DDR4 | DDR3 |