Соотношение цена-качество |
50.5
На 1.6 (3.3%) лучше
vs
48.9
|
Двухсторонняя установка чипов |
vs
|
Объем одного модуля памяти |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Частота |
2666 МГц
На 1066 МГц (66.6%) лучше
vs
1600 МГц
|
SODIMM Goodram [GR1600S364L11S4G] | SODIMM Kingston ValueRAM [KVR26S19S68] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
11 | 19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
28 | 32 |
Row Precharge Delay (tRP) | |
11 | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
11 | 19 |
Конструктивные особенности | |
Двухсторонняя установка чипов | |
Количество чипов модуля | |
8 | 8 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.5 | 1.2 |
Конструкция |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
50.5
На 1.6 (3.3%) лучше
|
48.9 |
Быстродействие | |
Частота | |
1600 МГц | 2666 МГц
На 1066 МГц (66.6%) лучше
|
Пропускная способность | |
PC12800 | PC21300 |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Тип памяти | |
DDR3 | DDR4 |