Соотношение цена-качество |
95.5
На 24.9 (35.3%) лучше
vs
70.6
|
Объем одного модуля памяти |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Частота |
3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
vs
2666 МГц
|
SODIMM Goodram [GR2666S464L19S4G] | SODIMM Hynix [HMA81GS6DJR8N-XN] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
19 | нет |
Row Precharge Delay (tRP) | |
19 | 22 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
19 | 22 |
Конструктивные особенности | |
Двухсторонняя установка чипов | |
Количество чипов модуля | |
8 | 8 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 | 1.2 |
Конструкция |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
95.5
На 24.9 (35.3%) лучше
|
70.6 |
Быстродействие | |
Частота | |
2666 МГц | 3200 МГц
На 534 МГц (20%) лучше
|
Пропускная способность | |
PC21300 | PC25600 |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Тип памяти | |
DDR4 | DDR4 |