Соотношение цена-качество |
70.5
На 1.4 (2%) лучше
vs
69.1
|
Частота |
2666 МГц
На 1066 МГц (66.6%) лучше
vs
1600 МГц
|
Объем одного модуля памяти |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
SODIMM Patriot Signature Line [PSD44G266681S] | SODIMM Goodram Iridium [IR-1600S3V64L118G] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
19 | 11 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
43 | нет данных |
Row Precharge Delay (tRP) | |
19 | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
19 | 11 |
Конструктивные особенности | |
Двухсторонняя установка чипов | |
Количество чипов модуля | |
16 | нет данных |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.2 | 1.35 |
Конструкция |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
70.5
На 1.4 (2%) лучше
|
69.1 |
Быстродействие | |
Частота | |
2666 МГц
На 1066 МГц (66.6%) лучше
|
1600 МГц |
Пропускная способность | |
PC21300 | PC12800 |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Тип памяти | |
DDR4 | DDR3L |