Соотношение цена-качество |
82.6
На 8 (10.7%) лучше
vs
74.6
|
Объем одного модуля памяти |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Суммарный объем памяти всего комплекта |
8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
vs
4 ГБ
|
Частота |
2666 МГц
На 1600 МГц (150.1%) лучше
vs
1066 МГц
|
SODIMM Transcend [TS512MSK64V1N] | SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CTD] |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | |
7 | 19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
18 | нет данных |
Row Precharge Delay (tRP) | |
7 | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
7 | 19 |
Конструктивные особенности | |
Двухсторонняя установка чипов | |
Количество чипов модуля | |
16 | 8 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | |
1.5 | 1.2 |
Конструкция |
Общие параметры | |
Соотношение цена-качество | |
82.6
На 8 (10.7%) лучше
|
74.6 |
Быстродействие | |
Частота | |
1066 МГц | 2666 МГц
На 1600 МГц (150.1%) лучше
|
Пропускная способность | |
PC8500 | PC21300 |
Объем и состав комплекта | |
Суммарный объем памяти всего комплекта | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Количество модулей в комплекте | |
1 | 1 |
Объем одного модуля памяти | |
4 ГБ | 8 ГБ
На 4 ГБ (100%) лучше
|
Тип памяти | |
DDR3 | DDR4 |