Соотношение цена-качество |
58.5
На 42.1 (256.7%) лучше
vs
16.4
|
$ |
64
На -75 (-54%) лучше
vs
139
|
Объем накопителя |
1000 ГБ
На 488 ГБ (95.3%) лучше
vs
512 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
|
Ресурс работы |
600 TBW
На 450 TBW (300%) лучше
vs
150 TBW
|
Шифрование данных |
vs
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
70 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
AMD Radeon R5 Series [R5SL512G] | Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 90000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 98000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
540 Мбайт/сек | 550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
460 Мбайт/сек | 520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
|
Габариты | |
Толщина | |
7 мм | 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
70 мм | 69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
1500 G | нет данных |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
1.5 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
150 TBW | 600 TBW
На 450 TBW (300%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
64
На -75 (-54%) лучше
|
139 |
Соотношение цена-качество | |
58.5
На 42.1 (256.7%) лучше
|
16.4 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
нет данных | Samsung MJX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
512 ГБ | 1000 ГБ
На 488 ГБ (95.3%) лучше
|